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Transcend 4Gb SO-DIMM DDR4 3200MHz 1.2V
- Capacidad ideal – 4 GB, suficiente para mejorar el rendimiento de sistemas básicos y multitarea ligera.
- Alta velocidad – 3200 MHz para una ejecución más rápida de aplicaciones.
- Latencia optimizada – CL22 para una transmisión de datos estable.
- Eficiencia energética – Bajo consumo de energía con operación a 1.2V.
- Diseño compacto – SO-DIMM de 260 pines con una altura de 1.18 pulgadas.
- Arquitectura optimizada – Rank 1Rx16 y DRAM (512Mx16)x4 para una mejor gestión de datos.
- Alta resistencia térmica – Funciona en un rango de temperatura de 0°C a 95°C, ideal para entornos exigentes.
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El módulo de memoria Transcend TS512MSH64V2D es una opción eficiente y confiable para mejorar el rendimiento de portátiles y dispositivos compactos. Con una capacidad de 4 GB, este módulo DDR4 SO-DIMM ofrece un equilibrio entre velocidad, estabilidad y eficiencia energética, ideal para mejorar el desempeño en tareas cotidianas y multitarea ligera.
Con una velocidad de 3200 MHz y una latencia CL22, el TS512MSH64V2D permite una transmisión de datos rápida y estable, asegurando una mejor respuesta del sistema en diversas aplicaciones. Su arquitectura 1Rx16 y la configuración de memoria (512Mx16)x4 optimizan el rendimiento del módulo, ofreciendo un procesamiento eficiente con un menor consumo energético.
Este módulo opera con un voltaje de 1.2V, lo que reduce el consumo de energía y minimiza la generación de calor, favoreciendo la durabilidad del hardware y mejorando la eficiencia energética de los dispositivos portátiles. Su diseño compacto SO-DIMM de 260 pines con una altura de 1.18 pulgadas asegura compatibilidad con una amplia gama de equipos. Además, su rango de temperatura de operación de 0°C a 95°C lo hace adecuado para entornos exigentes y dispositivos con necesidades térmicas específicas.
Principales Características...
* Capacidad ideal – 4 GB, suficiente para mejorar el rendimiento de sistemas básicos y multitarea ligera.
* Alta velocidad – 3200 MHz para una ejecución más rápida de aplicaciones.
* Latencia optimizada – CL22 para una transmisión de datos estable.
* Eficiencia energética – Bajo consumo de energía con operación a 1.2V.
* Diseño compacto – SO-DIMM de 260 pines con una altura de 1.18 pulgadas.
* Arquitectura optimizada – Rank 1Rx16 y DRAM (512Mx16)x4 para una mejor gestión de datos.
* Alta resistencia térmica – Funciona en un rango de temperatura de 0°C a 95°C, ideal para entornos exigentes.
| Capacidad | 4 GB |
| Tipo | DDR4 |
| Frecuencia | 3200 MHz |
| Tipo de módulo | Unbuffered SO-DIMM |
| Latencia CAS | CL22 |
| Voltaje | 1.2V |
| Características | 1Rx16, DRAM (512Mx16)x4, 260 pines, altura de PCB de 1.18 pulgadas, temperatura de operación de 0°C a 95°C |
El módulo de memoria Transcend TS512MSH64V2D es una opción eficiente y confiable para mejorar el rendimiento de portátiles y dispositivos compactos. Con una capacidad de 4 GB, este módulo DDR4 SO-DIMM ofrece un equilibrio entre velocidad, estabilidad y eficiencia energética, ideal para mejorar el desempeño en tareas cotidianas y multitarea ligera.
Con una velocidad de 3200 MHz y una latencia CL22, el TS512MSH64V2D permite una transmisión de datos rápida y estable, asegurando una mejor respuesta del sistema en diversas aplicaciones. Su arquitectura 1Rx16 y la configuración de memoria (512Mx16)x4 optimizan el rendimiento del módulo, ofreciendo un procesamiento eficiente con un menor consumo energético.
Este módulo opera con un voltaje de 1.2V, lo que reduce el consumo de energía y minimiza la generación de calor, favoreciendo la durabilidad del hardware y mejorando la eficiencia energética de los dispositivos portátiles. Su diseño compacto SO-DIMM de 260 pines con una altura de 1.18 pulgadas asegura compatibilidad con una amplia gama de equipos. Además, su rango de temperatura de operación de 0°C a 95°C lo hace adecuado para entornos exigentes y dispositivos con necesidades térmicas específicas.
Principales Características...
* Capacidad ideal – 4 GB, suficiente para mejorar el rendimiento de sistemas básicos y multitarea ligera.
* Alta velocidad – 3200 MHz para una ejecución más rápida de aplicaciones.
* Latencia optimizada – CL22 para una transmisión de datos estable.
* Eficiencia energética – Bajo consumo de energía con operación a 1.2V.
* Diseño compacto – SO-DIMM de 260 pines con una altura de 1.18 pulgadas.
* Arquitectura optimizada – Rank 1Rx16 y DRAM (512Mx16)x4 para una mejor gestión de datos.
* Alta resistencia térmica – Funciona en un rango de temperatura de 0°C a 95°C, ideal para entornos exigentes.
| Capacidad | 4 GB |
| Tipo | DDR4 |
| Frecuencia | 3200 MHz |
| Tipo de módulo | Unbuffered SO-DIMM |
| Latencia CAS | CL22 |
| Voltaje | 1.2V |
| Características | 1Rx16, DRAM (512Mx16)x4, 260 pines, altura de PCB de 1.18 pulgadas, temperatura de operación de 0°C a 95°C |
