SSD 4Tb Samsung 9100 Pro NVMe M.2 Type 2280
- Capacidad de 4TB con memoria Samsung V-NAND TLC.
- Interfaz PCIe 5.0 x4 con protocolo NVMe 2.0.
- Formato M.2 2280, ideal para entornos profesionales y gaming extremo.
- Velocidades de hasta 14.800 MB/s lectura y 13.400 MB/s escritura.
- Rendimiento aleatorio: 2.200.000 IOPS lectura / 2.600.000 IOPS escritura.
- Durabilidad sobresaliente con 2400 TBW y MTBF de 1,5 millones de horas.
- Soporte para TRIM, SMART y cifrado AES de 256 bits.
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El SSD Samsung 9100 Pro NVMe de 4TB ofrece una combinación inigualable de capacidad masiva, velocidad extrema y fiabilidad avanzada. Diseñado para usuarios exigentes y entornos de alto rendimiento, este SSD en formato M.2 2280 es ideal para estaciones de trabajo, equipos gaming de élite y tareas de procesamiento intensivo de datos.
Equipado con la interfaz PCIe 5.0 x4 y compatible con NVMe 2.0, el 9100 Pro 4TB alcanza velocidades impresionantes de hasta 14.800 MB/s en lectura secuencial y 13.400 MB/s en escritura, superando los estándares de almacenamiento actuales. Además, ofrece un rendimiento aleatorio excepcional con 2.200.000 IOPS en lectura y 2.600.000 IOPS en escritura, lo que garantiza una experiencia fluida incluso en las tareas más exigentes.
Construido con memoria Samsung V-NAND TLC, un controlador de desarrollo propio y 4 GB de caché DDR4X, este SSD proporciona estabilidad, eficiencia energética y durabilidad superior. Su resistencia está garantizada con un TBW de 2400 y una fiabilidad de 1,5 millones de horas MTBF.
Compatible con tecnologías de seguridad y rendimiento como TRIM, S.M.A.R.T y cifrado AES de 256 bits, el Samsung 9100 Pro 4TB es la elección perfecta para quienes buscan lo mejor en almacenamiento de próxima generación.
Principales Características
* Capacidad de 4TB con memoria Samsung V-NAND TLC.
* Interfaz PCIe 5.0 x4 con protocolo NVMe 2.0.
* Formato M.2 2280, ideal para entornos profesionales y gaming extremo.
* Velocidades de hasta 14.800 MB/s lectura y 13.400 MB/s escritura.
* Rendimiento aleatorio: 2.200.000 IOPS lectura / 2.600.000 IOPS escritura.
* Durabilidad sobresaliente con 2400 TBW y MTBF de 1,5 millones de horas.
* Soporte para TRIM, SMART y cifrado AES de 256 bits.
Capacidad | 4 TB |
Tipo | SSD Interno |
Formato | M.2 (2280) |
Interface | PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 |
Velocidad de lectura secuencial | Hasta 14.800 MB/s |
Velocidad de escritura secuencial | Hasta 13.400 MB/s |
Velocidad de lectura aleatoria | Hasta 2.200.000 IOPS |
Velocidad de escritura aleatoria | Hasta 2.600.000 IOPS |
TBW | 2400 TBW |
Temperatura en funcionamiento | 0°C a 70°C |
Temperatura en no funcionamiento | No especificado |
Golpes en no funcionamiento | 1500 G y 0,5 ms (medio seno) |
Dimensiones | 80,15 x 22,15 x 2,38 mm |
Peso | 9 g |
El SSD Samsung 9100 Pro NVMe de 4TB ofrece una combinación inigualable de capacidad masiva, velocidad extrema y fiabilidad avanzada. Diseñado para usuarios exigentes y entornos de alto rendimiento, este SSD en formato M.2 2280 es ideal para estaciones de trabajo, equipos gaming de élite y tareas de procesamiento intensivo de datos.
Equipado con la interfaz PCIe 5.0 x4 y compatible con NVMe 2.0, el 9100 Pro 4TB alcanza velocidades impresionantes de hasta 14.800 MB/s en lectura secuencial y 13.400 MB/s en escritura, superando los estándares de almacenamiento actuales. Además, ofrece un rendimiento aleatorio excepcional con 2.200.000 IOPS en lectura y 2.600.000 IOPS en escritura, lo que garantiza una experiencia fluida incluso en las tareas más exigentes.
Construido con memoria Samsung V-NAND TLC, un controlador de desarrollo propio y 4 GB de caché DDR4X, este SSD proporciona estabilidad, eficiencia energética y durabilidad superior. Su resistencia está garantizada con un TBW de 2400 y una fiabilidad de 1,5 millones de horas MTBF.
Compatible con tecnologías de seguridad y rendimiento como TRIM, S.M.A.R.T y cifrado AES de 256 bits, el Samsung 9100 Pro 4TB es la elección perfecta para quienes buscan lo mejor en almacenamiento de próxima generación.
Principales Características
* Capacidad de 4TB con memoria Samsung V-NAND TLC.
* Interfaz PCIe 5.0 x4 con protocolo NVMe 2.0.
* Formato M.2 2280, ideal para entornos profesionales y gaming extremo.
* Velocidades de hasta 14.800 MB/s lectura y 13.400 MB/s escritura.
* Rendimiento aleatorio: 2.200.000 IOPS lectura / 2.600.000 IOPS escritura.
* Durabilidad sobresaliente con 2400 TBW y MTBF de 1,5 millones de horas.
* Soporte para TRIM, SMART y cifrado AES de 256 bits.
Capacidad | 4 TB |
Tipo | SSD Interno |
Formato | M.2 (2280) |
Interface | PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 |
Velocidad de lectura secuencial | Hasta 14.800 MB/s |
Velocidad de escritura secuencial | Hasta 13.400 MB/s |
Velocidad de lectura aleatoria | Hasta 2.200.000 IOPS |
Velocidad de escritura aleatoria | Hasta 2.600.000 IOPS |
TBW | 2400 TBW |
Temperatura en funcionamiento | 0°C a 70°C |
Temperatura en no funcionamiento | No especificado |
Golpes en no funcionamiento | 1500 G y 0,5 ms (medio seno) |
Dimensiones | 80,15 x 22,15 x 2,38 mm |
Peso | 9 g |