SSD 1Tb Samsung 860 EVO mSATA

SSD 1Tb Samsung 860 EVO mSATA

Samsung
  • Rendimiento mejorado, incluso con grandes cargas de trabajo.
  • Lectura secuencial de hasta 550Mb/s.
  • Escritura secuencial de hasta 520Mb/s.
  • Almacena de forma segura y renderiza sin problemas.
  • Benefíciate de una comunicación más rápida y fluida con tu equipo.

P/N: MZ-M6E1T0BW - EAN/UPC: 8801643076337

240,96 € Sin IVA
291,56 € Con IVA
Canon Digital no incluido: 1,50 € + Impuestos
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El precio que aparece es orientativo
3 años
de garantía
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asegurado
100%
pago seguro

Te presentamos la nueva versión del SSD SATA líder de ventas, el Samsung 860 EVO. Diseñado para ordenadores y portátiles de alta gama, el nuevo SSD cuenta con la última tecnología V-NAND Samsung y un robusto controlador basado en algoritmos, y está disponible en distintos formatos y capacidades.

Disfruta de una velocidad constante incluso con grandes cargas de trabajo y multitarea. La unidad SSD 860 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de escritura de hasta 520 MB/s gracias a la tecnología Intelligent TurboWrite , y una velocidad de escritura secuencial de hasta 550 MB/s. El tamaño del buffer TurboWrite se ha mejorado de 12 GB a 78 GB, ofreciéndote una transferencia de archivos más rápida.

Almacena de forma segura y renderiza sin problemas vídeos y datos 3D utilizados por las últimas aplicaciones, hasta 8 veces más TBW (Terabytes escritos)* que el modelo anterior 850 EVO. La última tecnología V-NAND ofrece una fiabilidad líder del mercado con 5 años de garantía o 2.400 TBW.

Principales Características...

* Disco de estado sólido, capacidad: 250 GB.
* Factor de forma de disco SSD: mSATA.
* Interfaces de disco de estado sólido: mini-SATA.

Características generales
Capacidad 1000Gb
Formato 2.5 pulgadas
Interfaz Interfaz SATA 6 Gb/s, compatible con SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s
Dimensiones (29.85±0.15) x (50.80±0.15) x Max 3.85 (mm)
Peso Máx. 8.5g
Tipo NAND Samsung V-NAND 3bit MLC
Controlador Samsung MJX Controller
Memoria caché Samsung 1Gb Low Power DDR4 SDRAM
Características especiales
Soporte TRIM TRIM
Soporte S.M.A.R.T. S.M.A.R.T.
GC Auto Garbage Coolection Algorithm
Encriptación AES 256-bit
Soporte Modo supensión Si
Rendimiento
Lectura secuencial Hasta 500Mb/s
Escritura secuencial  Hasta 520Mb/s
Lectura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 97.000IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 88.000IOPS
Lectura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 10.000IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 42.000IOPS random Write
Entorno
Consumo de Energía Máximo 4.5W
Durabilidad 1.5 Millón de horas
Temperatura 0 - 70ºC
Golpes 1.500 G & 0.5 ms

Te presentamos la nueva versión del SSD SATA líder de ventas, el Samsung 860 EVO. Diseñado para ordenadores y portátiles de alta gama, el nuevo SSD cuenta con la última tecnología V-NAND Samsung y un robusto controlador basado en algoritmos, y está disponible en distintos formatos y capacidades.

Disfruta de una velocidad constante incluso con grandes cargas de trabajo y multitarea. La unidad SSD 860 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de escritura de hasta 520 MB/s gracias a la tecnología Intelligent TurboWrite , y una velocidad de escritura secuencial de hasta 550 MB/s. El tamaño del buffer TurboWrite se ha mejorado de 12 GB a 78 GB, ofreciéndote una transferencia de archivos más rápida.

Almacena de forma segura y renderiza sin problemas vídeos y datos 3D utilizados por las últimas aplicaciones, hasta 8 veces más TBW (Terabytes escritos)* que el modelo anterior 850 EVO. La última tecnología V-NAND ofrece una fiabilidad líder del mercado con 5 años de garantía o 2.400 TBW.

Principales Características...

* Disco de estado sólido, capacidad: 250 GB.
* Factor de forma de disco SSD: mSATA.
* Interfaces de disco de estado sólido: mini-SATA.

Características generales
Capacidad 1000Gb
Formato 2.5 pulgadas
Interfaz Interfaz SATA 6 Gb/s, compatible con SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s
Dimensiones (29.85±0.15) x (50.80±0.15) x Max 3.85 (mm)
Peso Máx. 8.5g
Tipo NAND Samsung V-NAND 3bit MLC
Controlador Samsung MJX Controller
Memoria caché Samsung 1Gb Low Power DDR4 SDRAM
Características especiales
Soporte TRIM TRIM
Soporte S.M.A.R.T. S.M.A.R.T.
GC Auto Garbage Coolection Algorithm
Encriptación AES 256-bit
Soporte Modo supensión Si
Rendimiento
Lectura secuencial Hasta 500Mb/s
Escritura secuencial  Hasta 520Mb/s
Lectura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 97.000IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD32) Hasta 88.000IOPS
Lectura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 10.000IOPS
Escritura aleatoria (4KB, QD1) Hasta 42.000IOPS random Write
Entorno
Consumo de Energía Máximo 4.5W
Durabilidad 1.5 Millón de horas
Temperatura 0 - 70ºC
Golpes 1.500 G & 0.5 ms


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