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Samsung 64Gb DDR5 6400Mhz 1.1V ECC
- Modelo: M321R8GA0EB2-CCP.
- Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
- Capacidad: 64GB.
- Frecuencia: 6400MHz.
- ECC (Error-Correcting Code): Sí.
- Configuración Registrada: Sí (Registered).
- Latencia CAS: CL52.
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| Tipo de memoria | |
| Frecuencia memoria | |
| Voltaje | |
| Tamaño de memoria | |
| ECC | |
| Latencia |
La memoria Samsung M321R8GA0EB2-CCP ofrece un rendimiento excepcional para servidores de última generación. Con 64GB de capacidad y una frecuencia ultrarrápida de 6400 MHz, este módulo DDR5 RDIMM está diseñado para entornos empresariales que exigen la máxima fiabilidad, eficiencia energética y capacidad de procesamiento.
Gracias a su arquitectura de doble rango (2Rx4) y tecnología ECC integrada, este módulo proporciona una integridad de datos superior, crucial para cargas de trabajo críticas como bases de datos, virtualización intensiva y análisis en tiempo real. Su bajo voltaje de operación de 1.1V también garantiza una mejor eficiencia energética, reduciendo el consumo y el calor generado.
Samsung ha desarrollado este módulo pensando en la escalabilidad y el futuro del rendimiento en centros de datos. La combinación de alta densidad, velocidad mejorada y características de corrección de errores hacen del M321R8GA0EB2-CCP una solución ideal para servidores que necesitan estar activos y estables las 24 horas del día, los 7 días de la semana.
Invierta en la memoria Samsung M321R8GA0EB2-CCP y obtenga una solución de memoria que proporciona velocidad, estabilidad y preparación para las exigencias de las infraestructuras TI más avanzadas.
Principales características...
* Modelo: M321R8GA0EB2-CCP.
* Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
* Capacidad: 64GB.
* Frecuencia: 6400MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: Sí.
* Latencia CAS: CL52.
| Capacidad | 64 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 6400 MHz |
| Tipo de módulo | RDIMM |
| Latencia CAS | CL52 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | ECC, Registered, 2Rx4, 288 pines, alta velocidad |
La memoria Samsung M321R8GA0EB2-CCP ofrece un rendimiento excepcional para servidores de última generación. Con 64GB de capacidad y una frecuencia ultrarrápida de 6400 MHz, este módulo DDR5 RDIMM está diseñado para entornos empresariales que exigen la máxima fiabilidad, eficiencia energética y capacidad de procesamiento.
Gracias a su arquitectura de doble rango (2Rx4) y tecnología ECC integrada, este módulo proporciona una integridad de datos superior, crucial para cargas de trabajo críticas como bases de datos, virtualización intensiva y análisis en tiempo real. Su bajo voltaje de operación de 1.1V también garantiza una mejor eficiencia energética, reduciendo el consumo y el calor generado.
Samsung ha desarrollado este módulo pensando en la escalabilidad y el futuro del rendimiento en centros de datos. La combinación de alta densidad, velocidad mejorada y características de corrección de errores hacen del M321R8GA0EB2-CCP una solución ideal para servidores que necesitan estar activos y estables las 24 horas del día, los 7 días de la semana.
Invierta en la memoria Samsung M321R8GA0EB2-CCP y obtenga una solución de memoria que proporciona velocidad, estabilidad y preparación para las exigencias de las infraestructuras TI más avanzadas.
Principales características...
* Modelo: M321R8GA0EB2-CCP.
* Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM.
* Capacidad: 64GB.
* Frecuencia: 6400MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: Sí.
* Latencia CAS: CL52.
| Capacidad | 64 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 6400 MHz |
| Tipo de módulo | RDIMM |
| Latencia CAS | CL52 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | ECC, Registered, 2Rx4, 288 pines, alta velocidad |
