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Samsung 32Gb So-DIMM DDR5 5600Mhz 1.1V ECC UDIMM
- Modelo: M324R4GA3PB0-CWM.
- Tipo de Memoria: DDR5 So-DIMM UDIMM.
- Capacidad: 32Gb.
- Frecuencia: 5600Mhz.
- ECC (Error-Correcting Code): Sí.
- Configuración Registrada: No.
- Latencia CAS: CL46.
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La memoria Samsung M324R4GA3PB0-CWM en formato So-DIMM está diseñada para aplicaciones especializadas como estaciones de trabajo compactas, entornos industriales y sistemas embebidos que requieren alto rendimiento y estabilidad operativa. Con 32GB de capacidad y una velocidad de 5600MHz, este módulo ofrece un ancho de banda elevado y baja latencia para afrontar cargas de trabajo exigentes.
Equipada con tecnología ECC (Error-Correcting Code), garantiza la integridad de los datos incluso bajo condiciones de procesamiento intensivo. La configuración de 2Rx8 y su composición interna con veinte chips de 4Gx8 aseguran un funcionamiento eficiente y estable.
El módulo funciona con un voltaje de 1.1V, lo que contribuye a reducir el consumo energético. Gracias a su diseño sin búfer (UDIMM) y formato So-DIMM, es compatible con sistemas que requieren soluciones compactas pero potentes, manteniendo siempre el cumplimiento con los estándares medioambientales RoHS y libre de halógenos.
El Samsung M324R4GA3PB0-CWM es una opción inteligente para quienes buscan fiabilidad, eficiencia energética y velocidad en formatos reducidos, sin sacrificar características profesionales como ECC y soporte para DDR5 de alto rendimiento.
Principales características...
* Modelo: M324R4GA3PB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 So-DIMM UDIMM.
* Capacidad: 32Gb.
* Frecuencia: 5600Mhz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: No.
* Latencia CAS: CL46.
| Capacidad | 32 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Tipo de módulo | So-DIMM UDIMM |
| Latencia CAS | CL46 |
| Voltaje | 1.1V |
| Características | ECC, 2Rx8, 288 pines, (4G x 8) x 20, RoHS, Halogen-Free |
La memoria Samsung M324R4GA3PB0-CWM en formato So-DIMM está diseñada para aplicaciones especializadas como estaciones de trabajo compactas, entornos industriales y sistemas embebidos que requieren alto rendimiento y estabilidad operativa. Con 32GB de capacidad y una velocidad de 5600MHz, este módulo ofrece un ancho de banda elevado y baja latencia para afrontar cargas de trabajo exigentes.
Equipada con tecnología ECC (Error-Correcting Code), garantiza la integridad de los datos incluso bajo condiciones de procesamiento intensivo. La configuración de 2Rx8 y su composición interna con veinte chips de 4Gx8 aseguran un funcionamiento eficiente y estable.
El módulo funciona con un voltaje de 1.1V, lo que contribuye a reducir el consumo energético. Gracias a su diseño sin búfer (UDIMM) y formato So-DIMM, es compatible con sistemas que requieren soluciones compactas pero potentes, manteniendo siempre el cumplimiento con los estándares medioambientales RoHS y libre de halógenos.
El Samsung M324R4GA3PB0-CWM es una opción inteligente para quienes buscan fiabilidad, eficiencia energética y velocidad en formatos reducidos, sin sacrificar características profesionales como ECC y soporte para DDR5 de alto rendimiento.
Principales características...
* Modelo: M324R4GA3PB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 So-DIMM UDIMM.
* Capacidad: 32Gb.
* Frecuencia: 5600Mhz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración Registrada: No.
* Latencia CAS: CL46.
| Capacidad | 32 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Tipo de módulo | So-DIMM UDIMM |
| Latencia CAS | CL46 |
| Voltaje | 1.1V |
| Características | ECC, 2Rx8, 288 pines, (4G x 8) x 20, RoHS, Halogen-Free |
