English 
Samsung 32Gb DDR5 6400Mhz 1.1V ECC Reg.
- Modelo: M321R4GA0EB2-CCP.
- Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM ECC Registered.
- Capacidad: 32GB.
- Frecuencia: 6400 MHz.
- ECC (Error-Correcting Code): Sí.
- Configuración: 1Rx4.
- Voltaje: 1.1 V.
personalizada
asegurado
pago seguro
| Tamaño de memoria | |
| Tipo de memoria | |
| Frecuencia memoria | |
| Voltaje | |
| ECC | |
| Latencia |
La memoria Samsung M321R4GA0EB2-CCP ofrece un rendimiento de nueva generación para entornos profesionales donde la velocidad y la estabilidad son esenciales. Diseñada bajo el estándar DDR5 y con tecnología ECC Registered, este módulo de 32GB está orientado a servidores y estaciones de trabajo que requieren un funcionamiento continuo y sin interrupciones.
Gracias a su frecuencia de 6400 MHz, este módulo proporciona un ancho de banda muy superior a generaciones previas, permitiendo gestionar cargas de trabajo intensivas, aplicaciones de virtualización, bases de datos y análisis en tiempo real con una mayor fluidez. El voltaje de 1.1 V también contribuye a mejorar la eficiencia energética, algo fundamental en infraestructuras de TI modernas.
Samsung integra en esta memoria un diseño 1Rx4 optimizado para ofrecer una mayor estabilidad en entornos críticos, acompañado de la corrección de errores ECC, que detecta y corrige fallos en tiempo real. Esto garantiza la integridad del sistema incluso bajo cargas de trabajo prolongadas o en servidores que operan las 24 horas del día.
Incorporar la memoria Samsung M321R4GA0EB2-CCP en tu servidor significa apostar por fiabilidad, rendimiento sostenido y compatibilidad con las arquitecturas más actuales. Una solución profesional que asegura estabilidad y prepara tu infraestructura para crecer sin comprometer el rendimiento.
Principales características...
* Modelo: M321R4GA0EB2-CCP.
* Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM ECC Registered.
* Capacidad: 32GB.
* Frecuencia: 6400 MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración: 1Rx4.
* Voltaje: 1.1 V.
| Capacidad | 32GB |
| Tipo | DDR5 ECC Registered |
| Frecuencia | 6400 MHz |
| Tipo de módulo | RDIMM |
| Latencia CAS | 52 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | 1Rx4; 288 pines; ECC; diseño para servidores |
La memoria Samsung M321R4GA0EB2-CCP ofrece un rendimiento de nueva generación para entornos profesionales donde la velocidad y la estabilidad son esenciales. Diseñada bajo el estándar DDR5 y con tecnología ECC Registered, este módulo de 32GB está orientado a servidores y estaciones de trabajo que requieren un funcionamiento continuo y sin interrupciones.
Gracias a su frecuencia de 6400 MHz, este módulo proporciona un ancho de banda muy superior a generaciones previas, permitiendo gestionar cargas de trabajo intensivas, aplicaciones de virtualización, bases de datos y análisis en tiempo real con una mayor fluidez. El voltaje de 1.1 V también contribuye a mejorar la eficiencia energética, algo fundamental en infraestructuras de TI modernas.
Samsung integra en esta memoria un diseño 1Rx4 optimizado para ofrecer una mayor estabilidad en entornos críticos, acompañado de la corrección de errores ECC, que detecta y corrige fallos en tiempo real. Esto garantiza la integridad del sistema incluso bajo cargas de trabajo prolongadas o en servidores que operan las 24 horas del día.
Incorporar la memoria Samsung M321R4GA0EB2-CCP en tu servidor significa apostar por fiabilidad, rendimiento sostenido y compatibilidad con las arquitecturas más actuales. Una solución profesional que asegura estabilidad y prepara tu infraestructura para crecer sin comprometer el rendimiento.
Principales características...
* Modelo: M321R4GA0EB2-CCP.
* Tipo de Memoria: DDR5 RDIMM ECC Registered.
* Capacidad: 32GB.
* Frecuencia: 6400 MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): Sí.
* Configuración: 1Rx4.
* Voltaje: 1.1 V.
| Capacidad | 32GB |
| Tipo | DDR5 ECC Registered |
| Frecuencia | 6400 MHz |
| Tipo de módulo | RDIMM |
| Latencia CAS | 52 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | 1Rx4; 288 pines; ECC; diseño para servidores |
