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Samsung 16Gb So-DIMM DDR5 5600Mhz 1.1V CL46
- Modelo: M425R2GA3EB0-CWM.
- Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
- Capacidad: 16GB.
- Frecuencia: 5600MHz.
- Latencia CAS: CL46.
- Voltaje: 1.1V.
- Diseño Single Rank 1Rx8.
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La memoria Samsung M425R2GA3EB0-CWM está diseñada para ofrecer un rendimiento de nueva generación y una alta eficiencia energética en portátiles y sistemas compactos. Con 16GB de memoria DDR5, proporciona una experiencia fluida en multitarea y aplicaciones exigentes.
Gracias a su velocidad de 5600MHz, este módulo SO-DIMM mejora notablemente el ancho de banda y la capacidad de respuesta del sistema frente a generaciones anteriores. Su bajo voltaje de funcionamiento de 1.1V ayuda a reducir el consumo energético y la generación de calor.
La arquitectura Single Rank 1Rx8 y el cumplimiento de los estándares JEDEC garantizan una amplia compatibilidad y un funcionamiento estable a largo plazo. La latencia CL46 asegura un rendimiento equilibrado para uso profesional y cotidiano.
Fabricada en producción masiva bajo los estándares de calidad de Samsung, esta memoria DDR5 de 16GB es una opción fiable y duradera para ampliar portátiles y equipos de pequeño formato con total confianza.
Principales características...
* Modelo: M425R2GA3EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
* Capacidad: 16GB.
* Frecuencia: 5600MHz.
* Latencia CAS: CL46.
* Voltaje: 1.1V.
* Diseño Single Rank 1Rx8.
| Capacidad | 16 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Tipo de módulo | SO-DIMM |
| Latencia CAS | CL46 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | Configuración 1Rx8, compatible JEDEC, producción en masa |
La memoria Samsung M425R2GA3EB0-CWM está diseñada para ofrecer un rendimiento de nueva generación y una alta eficiencia energética en portátiles y sistemas compactos. Con 16GB de memoria DDR5, proporciona una experiencia fluida en multitarea y aplicaciones exigentes.
Gracias a su velocidad de 5600MHz, este módulo SO-DIMM mejora notablemente el ancho de banda y la capacidad de respuesta del sistema frente a generaciones anteriores. Su bajo voltaje de funcionamiento de 1.1V ayuda a reducir el consumo energético y la generación de calor.
La arquitectura Single Rank 1Rx8 y el cumplimiento de los estándares JEDEC garantizan una amplia compatibilidad y un funcionamiento estable a largo plazo. La latencia CL46 asegura un rendimiento equilibrado para uso profesional y cotidiano.
Fabricada en producción masiva bajo los estándares de calidad de Samsung, esta memoria DDR5 de 16GB es una opción fiable y duradera para ampliar portátiles y equipos de pequeño formato con total confianza.
Principales características...
* Modelo: M425R2GA3EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 SO-DIMM.
* Capacidad: 16GB.
* Frecuencia: 5600MHz.
* Latencia CAS: CL46.
* Voltaje: 1.1V.
* Diseño Single Rank 1Rx8.
| Capacidad | 16 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Tipo de módulo | SO-DIMM |
| Latencia CAS | CL46 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | Configuración 1Rx8, compatible JEDEC, producción en masa |
