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Samsung 16Gb DDR5 5600Mhz 1.1V
- Modelo: M323R2GA3EB0-CWM.
- Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
- Capacidad: 16Gb.
- Frecuencia: 5600MHz.
- ECC (Error-Correcting Code): No.
- Configuración Registrada: No.
- Latencia CAS: CL46.
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La memoria Samsung M323R2GA3EB0-CWM está diseñada para brindar un rendimiento excepcional en equipos de escritorio y sistemas orientados al gaming. Gracias a su tecnología DDR5 y sus 16 GB de capacidad, este módulo es ideal para quienes buscan velocidad, eficiencia y estabilidad al ejecutar aplicaciones exigentes o videojuegos de última generación.
Con una frecuencia de 5600 MHz y arquitectura 1R x 8, este módulo UDIMM ofrece una respuesta rápida y fluida, reduciendo significativamente los tiempos de carga y mejorando la experiencia multitarea. Su voltaje de tan solo 1.1 V también contribuye a una mayor eficiencia energética, permitiendo mantener bajo control el consumo del sistema.
El diseño de 288 pines y la composición interna de (2Gx8)x8 aseguran una integración sin complicaciones en placas base modernas compatibles con DDR5. Esta memoria representa una excelente elección para usuarios que buscan una actualización potente y confiable para su equipo de escritorio.
Si buscas dar un salto en velocidad y rendimiento, la Samsung M323R2GA3EB0-CWM es una solución eficaz, duradera y lista para aprovechar todo el potencial de la nueva generación DDR5.
Principales características...
* Modelo: M323R2GA3EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
* Capacidad: 16Gb.
* Frecuencia: 5600MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): No.
* Configuración Registrada: No.
* Latencia CAS: CL46.
| Capacidad | 16 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Tipo de módulo | UDIMM |
| Latencia CAS | CL46 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | 1Rx8, 288 pines, (2Gx8)x8, para PC y gaming |
La memoria Samsung M323R2GA3EB0-CWM está diseñada para brindar un rendimiento excepcional en equipos de escritorio y sistemas orientados al gaming. Gracias a su tecnología DDR5 y sus 16 GB de capacidad, este módulo es ideal para quienes buscan velocidad, eficiencia y estabilidad al ejecutar aplicaciones exigentes o videojuegos de última generación.
Con una frecuencia de 5600 MHz y arquitectura 1R x 8, este módulo UDIMM ofrece una respuesta rápida y fluida, reduciendo significativamente los tiempos de carga y mejorando la experiencia multitarea. Su voltaje de tan solo 1.1 V también contribuye a una mayor eficiencia energética, permitiendo mantener bajo control el consumo del sistema.
El diseño de 288 pines y la composición interna de (2Gx8)x8 aseguran una integración sin complicaciones en placas base modernas compatibles con DDR5. Esta memoria representa una excelente elección para usuarios que buscan una actualización potente y confiable para su equipo de escritorio.
Si buscas dar un salto en velocidad y rendimiento, la Samsung M323R2GA3EB0-CWM es una solución eficaz, duradera y lista para aprovechar todo el potencial de la nueva generación DDR5.
Principales características...
* Modelo: M323R2GA3EB0-CWM.
* Tipo de Memoria: DDR5 UDIMM.
* Capacidad: 16Gb.
* Frecuencia: 5600MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): No.
* Configuración Registrada: No.
* Latencia CAS: CL46.
| Capacidad | 16 GB |
| Tipo | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Tipo de módulo | UDIMM |
| Latencia CAS | CL46 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | 1Rx8, 288 pines, (2Gx8)x8, para PC y gaming |
