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Hynix 8Gb So-DIMM DDR5 4800Mhz 1.1V
- Modelo: HMCG66MEBSA092N.
- Tipo de Memoria: DDR5 SDRAM.
- Capacidad: 8GB.
- Frecuencia: 4800MHz.
- ECC (Error-Correcting Code): No.
- Formato: SO-DIMM (Small Outline DIMM).
- Latencia CAS: CL40.
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La memoria SK hynix HMCG66MEBSA092N de 8GB DDR5 4800MHz está diseñada para portátiles y sistemas compactos que requieren mayor ancho de banda y eficiencia energética. Su velocidad de 4800MHz y latencia CL40 mejoran significativamente el rendimiento en aplicaciones de productividad, edición y multitarea en equipos modernos.
Este módulo DDR5 SO-DIMM de 262 pines funciona a 1.1V, lo que permite reducir el consumo energético y mantener temperaturas estables incluso en sesiones de trabajo prolongadas. Con una organización Single Rank x16 (1Rx16) y tasa de transferencia de hasta 38.4 GB/s, este módulo está optimizado para procesadores Intel de 12ª y 13ª generación y AMD Ryzen 6000/7000 que admiten DDR5 sin ECC.
Fabricada con 4 chips DRAM de 1Gx16, la memoria SK hynix garantiza estabilidad y velocidad constante en equipos portátiles y All-in-One, aportando fluidez a sistemas que demandan rendimiento y eficiencia sin sacrificar el consumo energético ni el espacio interno del equipo.
Con la memoria SK hynix HMCG66MEBSA092N, tu portátil se beneficiará de una actualización de rendimiento, permitiendo gestionar múltiples tareas y aplicaciones con mayor rapidez y menor latencia. Es una elección ideal para quienes buscan mejorar su sistema con tecnología DDR5 en entornos de movilidad y uso intensivo.
Principales características
* Modelo: HMCG66MEBSA092N.
* Tipo de Memoria: DDR5 SDRAM.
* Capacidad: 8GB.
* Frecuencia: 4800MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): No.
* Formato: SO-DIMM (Small Outline DIMM).
* Latencia CAS: CL40.
| Capacidad | 8 GB |
| Tipo | DDR5 SDRAM |
| Frecuencia | 4800 MHz (PC5-38400) |
| Tipo de módulo | SO-DIMM (Small Outline DIMM) |
| Latencia CAS | CL40 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | Non-ECC, Single Rank x16 (1Rx16), 262 pines |
La memoria SK hynix HMCG66MEBSA092N de 8GB DDR5 4800MHz está diseñada para portátiles y sistemas compactos que requieren mayor ancho de banda y eficiencia energética. Su velocidad de 4800MHz y latencia CL40 mejoran significativamente el rendimiento en aplicaciones de productividad, edición y multitarea en equipos modernos.
Este módulo DDR5 SO-DIMM de 262 pines funciona a 1.1V, lo que permite reducir el consumo energético y mantener temperaturas estables incluso en sesiones de trabajo prolongadas. Con una organización Single Rank x16 (1Rx16) y tasa de transferencia de hasta 38.4 GB/s, este módulo está optimizado para procesadores Intel de 12ª y 13ª generación y AMD Ryzen 6000/7000 que admiten DDR5 sin ECC.
Fabricada con 4 chips DRAM de 1Gx16, la memoria SK hynix garantiza estabilidad y velocidad constante en equipos portátiles y All-in-One, aportando fluidez a sistemas que demandan rendimiento y eficiencia sin sacrificar el consumo energético ni el espacio interno del equipo.
Con la memoria SK hynix HMCG66MEBSA092N, tu portátil se beneficiará de una actualización de rendimiento, permitiendo gestionar múltiples tareas y aplicaciones con mayor rapidez y menor latencia. Es una elección ideal para quienes buscan mejorar su sistema con tecnología DDR5 en entornos de movilidad y uso intensivo.
Principales características
* Modelo: HMCG66MEBSA092N.
* Tipo de Memoria: DDR5 SDRAM.
* Capacidad: 8GB.
* Frecuencia: 4800MHz.
* ECC (Error-Correcting Code): No.
* Formato: SO-DIMM (Small Outline DIMM).
* Latencia CAS: CL40.
| Capacidad | 8 GB |
| Tipo | DDR5 SDRAM |
| Frecuencia | 4800 MHz (PC5-38400) |
| Tipo de módulo | SO-DIMM (Small Outline DIMM) |
| Latencia CAS | CL40 |
| Voltaje | 1.1 V |
| Características | Non-ECC, Single Rank x16 (1Rx16), 262 pines |
