Los sistemas de almacenamiento heredados están luchando por mantenerse al día con las tecnologías informáticas y de red emergentes para manejar las cargas de trabajo intensivas de datos de hoy. En cambio, los medios de almacenamiento se convierten en un cuello de botella que inhibe la innovación de TI y frena el crecimiento empresarial.

Es aquí donde Intel trabaja en desarrollar herramientas como la SSD Intel® Optane ™ SSD P5800X. Este tipo de componentes evita conflictos como los citados anteriormente, especialmente en el ámbito empresarial.

Características de los SSD.

Actualmente, existe una brecha de rendimiento entre la computación y el almacenamiento de capacidad, incluso los SSD NAND rápidos ya no son adecuados para aplicaciones basadas en datos que necesitan acceder y procesar datos en tiempo real o como un búfer para conexiones Fast Ethernet (NIC). 

La SSD Intel® Optane ™ SSD P5800X posee una baja latencia, alta calidad de servicio (QoS), rendimiento rápido y alta resistencia. Gracias a estas características, acelera el acceso a conjuntos de datos grandes y complejos que las empresas y los proveedores de servicios en la nube necesitan para ejecutar su alta demanda cargas de trabajo. 

El SSD de centro de datos más rápido del mundo.

Fundamentalmente, a diferencia de otras tecnologías SSD, las SSD Intel® Optane ™ pueden leer y escribir simultáneamente sin degradación del rendimiento, llenando así la brecha crítica de rendimiento de almacenamiento. Estamos ante una SSD ideal para el almacenamiento en caché rápido o la clasificación por niveles de datos activos.

¿Por qué es tan importante la latencia del SSD?

La latencia de casi nanosegundos significa un tiempo de respuesta de la aplicación mejorado. Con su capacidad bidireccional, la baja latencia de Intel® Optane ™ SSD P5800X permanece constante hasta que alcanza la saturación y se mejora aún más al poder leer fragmentos de datos de 512B más pequeños. 

Para las grandes industrias, esto significa la capacidad de acelerar el tiempo para obtener información para la detección de fraudes, análisis, cumplimiento, modelos de mercado y transacciones de mercado de valores. ¿Y en qeu mejoran con respecto a otras SSD? Pues principalmente en lo siguiente:

  • Hasta un 50% mejor QoS de cinco 9 con una variación mínima de lectura y escritura en comparación con la anterior generación.
  • Tiempos de respuesta hasta 10 veces mejores en cinco 9 en comparación con la generación anterior.
  • Rendimiento hasta 6 veces mayor en comparación con Intel® SSD D7-P5600, el SSD NAND más rápido de Intel.

Alta resistencia y menos coste de almacenamiento

Una mayor resistencia significa una vida más larga para cualquier medio de almacenamiento. Al utilizar las SSD Intel® Optane ™ como capa de almacenamiento en caché o de niveles para cargas de trabajo de escritura intensiva, podremos extender la vida útil de los medios de almacenamiento. Esto se traduce en:

  • 67% más de resistencia que la generación anterior.
  • Hasta 20 veces más vida útil para unidades de almacenamiento con capacidad NAND.

En definitiva, los SSD Intel® Optane ™ están diseñados para entornos de cargas de trabajo mixtas y pueden soportar el tipo de tráfico intenso. Su resistencia extremadamente alta los hace ideales para aplicaciones de escritura intensiva, como inferencias de IA, computación de alto rendimiento (HPC), almacenamiento en búfer de escritura y registro.

La versatilidad del futuro

En conclusión, Intel sigue avanzando a pasos agigantados para ofrecernos la tecnología más avanzada en el ámbito empresarial:

  • Aceleración (almacenar datos sobre datos). Almacenamiento en caché más rápido. (copiar o mantener temporalmente los datos más recientes).
  • El búfer de escritura acelera el tiempo de durabilidad. La caché de lectura acelera el rendimiento de la aplicación, el acceso a los metadatos y los índices para mejorar el rendimiento de lectura de la base de datos.
  • Tiering (ubicación inteligente de datos). La ubicación inteligente de datos le permite implementar varios niveles para optimizar los costos.

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